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2024-11
关于压敏电阻的小知识(下)
7.压敏电阻基本性能(1)保护特性。当冲击源的冲击强度不超过规定值时，极限电压为压敏电阻不允许超过受保护物体能够承受的冲击耐受电压。(2)抗冲击性，即压敏电阻当多次冲击相继发生时，其自身应能够承受规定的冲击电流、冲击能量和平均功率。(3)有两个寿命特征:一是连续工作电压寿命，即压敏电阻应能在规定的环境温度和系统电压条件下可靠地工作规定的时间(小时);第二是冲击寿命，即特定冲击能够可靠持续的次数。(4)压敏电阻对系统进行干预后，除了起到安全阀保护的作用外，还会带来一些额外的影响，这就是所谓的二次
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2024-11
集成度的概念
集成度，是指图形中最小线条宽度，集成电路的集成度是指单块芯片上所容纳的元件数目，集成度越高，所容纳的元件数目越多，为此对传统的光刻方法进行了很多改进以满足分辨率的要求，增加集成电路的集成度。 集成度是什么意思 集成电路的线宽通常可理解为所加工的电路图形中最小线条宽度，但在MOS电路中，人们也常用栅极长度来定义线宽。集成度与线宽有对应关系，即集成度越高，线宽越小，所以，线宽也常用来表示集成电路制造技术水平的高低。 随着大规模集成电路和超大规模集成电路的发展，人们对光刻分辨率的要求愈来愈高。199
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2024-11
传导EMI的问题如何解决
EMI是指电子产品工作会对周边的其他电子产品造成干扰，与此关联的还有EMC规范。是电子电器产品经常遇上的问题。干扰种类有传导干扰和辐射干扰。目前，大部分传导 EMI 问题都是由共模噪声引起的。而且，大部分共模噪声问题都是由电源中的寄生电容导致的。以下将着重讨论当寄生电容直接耦合到电源输入电线时会发生的情况。 1. 只需几 fF 的杂散电容就会导致 EMI 扫描失败。从本质上讲，开关电源具有提供高 dV/dt 的节点。寄生电容与高 dV/dt 的混合会产生 EMI 问题。在寄生电容的另一端连接至
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2024-11
电容击穿后是开路还是短路？
电容击穿的概念 电容的电介质承受的电场强度是有一定限度的，当被束缚的电荷脱离了原子或分子的束缚而参加导电，就破坏了绝缘性能，这一现象称为电介质的击穿。 电容器被击穿的条件 电容器被击穿的条件达到击穿电压。 击穿电压是电容器的极限电压，超过这个电压，电容器内的介质将被击穿.额定电压是电容器长期工作时所能承受的电压，它比击穿电压要低.电容器在不高于击穿电压下工作都是安全可靠的，不要误认为电容器只有在额定电压下工作才是正常的。 定义PN结发生临界击穿对应的电压为PN结的击穿电压BV，BV是衡量PN结
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2024-11
plc输出晶体管好坏判断方法
PLC模块的DO输出点，一般可以分为晶体管输出的和继电器输出的，比如西门子200的SR20和ST20，SR20就是继电器输出的，ST20就是晶体管输出的！ 晶体管输出的DO模块一般具备高速脉冲输出的功能，可以用来去驱动伺服电机或者步进电机这些！而继电器输出的则不能输出很高速的脉冲信号，自然也就无法去驱动需要高速脉冲的设备！ 以上就是简单的说了一下PLC模块中晶体管输出的一些知识点，怎么判断输出的晶体管已坏，这个首先要编程让该DO点输出，查看该点能否输出电信号？ 这个图是西门子ST20 PLC的
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2024-11
电阻器选择的六大注意事项
固定电阻器的选择固定电阻器有多种类型，应根据应用电路的具体要求选择哪一种材料和结构的电阻器。对于高频电路，如碳膜电阻器、金属电阻器和金属氧化物膜电阻器，应选择具有小分布电容和分布电感的非线绕电阻器。高增益小信号放大电路应选择低噪声电阻，如金属膜电阻、碳膜电阻和绕线电阻，不能使用高噪声的合成碳膜电阻和有机实心电阻。该绕组电阻具有功率大、电流噪声小、耐高温、体积大等特点。普通导绕线电阻器常用于低频电路或作为限流电阻、分压器电阻、放电电阻或大功率管的偏压电阻。高精度绕线电阻主要用于固定衰减器、电阻箱
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2024-11
MCU振荡电路晶体旁的电容是起什么作用的
振荡电路用于实时时钟RTC，对于这种振荡电路只能用32.768KHZ 的晶体，晶体被连接在OSC3 与OSC4 之间而且为了获得稳定的频率必须外加两个带外部电阻的电容以构成振荡电路。 32.768kHz的时钟晶振产生的振荡信号经过石英钟内部分频器进行15次分频后得到1HZ秒信号，即秒针每秒钟走一下，石英钟内部分频器只能进行15次分频，要是换成别的频率的晶振，15次分频后就不是1HZ的秒信号，时钟就不准了。32.768K=32768=2的15次方，数据转换比较方便、精确。 绝大多数的MCU爱好者
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2024-11
传华为NB-IoT芯片欲拿下共享单车市场
共享单车虽然发展起来没有多久，但这确实是“朝阳产业”，预计未来会是个庞大的市场，华为目前则占据国内市场的领先优势。而这块“大蛋糕”也是联发科积极抢尽的市场。 联发科在手机芯片市场遭逢高通、展讯国内外夹击，跌出IC设计前三大，未来挑战还很艰巨，大力推展国内物联网芯片市场，在共享单车芯片平台又 “冤家路窄”遭逢劲敌华为。华为目前锁定ofo、一步、摩拜三大单车企业展开合作，欲全面拿下国内单车物联网芯片市场。 共享单车平台ofo宣布，将在单车上安装华为研发的NB-IoT物联网芯片及设备，来接入电信网络
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2024-11
高考志愿选什么专业？国家:快来学电子!
日前，教育部、国家发展改革委、科技部、工业和信息化部、财政部、国家外专局联合发布关于支持有关高校建设示范性微电子学院的通知，支持北京大学、清华 大学等9所高校建设示范性微电子学院，北京航空航天大学、北京理工大学等17所高校筹备建设示范性微电子学院。 6部委联合发文的情况可不多，联合通知上明言此举旨在尽快满足国家集成电路产业发展对高素质人才的迫切需求。 微电子包括哪些内容? 微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术
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2024-11
安森美半导体提高高解析度工业应用的成像性能
推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor)，提高要求高解析度图像撷取和最大图像均匀度的工业应用的成像性能。 新的2900万像素KAI-29052图像感测器在500奈米(nm)到1050 nm的波长範围内提供比现有的KAI-29050高达两倍的成像灵敏度。这改进的性能尤有利于在近红外线(NIR)波长如850 nm工作的应用。这增强的像素设计保留了光电二极体之间的电荷隔离，实现灵敏度的增加，而不降低图像清晰度(调变传递函数或MTF)。此外，改进的放大器设计降低了15%
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2024-11
运算放大器各参数详细解释及常用运放选型
运算放大器各参数详细解释及常用运放选型 极限参数 主要用于确定运放电源供电的设计（提供多少V电压、最大电流不能超过多少），NE5532的极限参数如下： 直流指标 运放主要直流指标有输入失调电压、输入失调电压的温度漂移（简称输入失调电压温漂）、输入偏置电流、输入失调电流、输入偏置电流的温度漂移（简称输入失调电流温漂）、差模开环直流电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出峰-峰值电压、最大共模输入电压、最大差模输入电压。NE5532的直流指标如下： 输入失调电压Vos： 输入失调电压定义为集成运
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2024-10
RTK厘米级定位技术助力汽车智能驾驶向L3级别迈进
RTK厘米级定位技术助力汽车智能驾驶向L3级别迈进 传感器如激光及毫米波雷达快速渗透到汽车领域，充当无人驾驶汽车的“智慧之眼”。但仅凭这些并不能够充分满足无人驾驶超高的安全性要求，无人驾驶还需要全局性的决策以及先验性预测的支持，才能充分保证在纷繁复杂的交通道路上一路畅行，因此以RTK为代表的高精度定位技术的价值已日渐体现出来，但受制于成本、量产能力以及其他技术的发展进度，RTK高精度定位技术在车载领域的应用仍存在多方挑战，但随着智能驾驶向L3级别迈进，未来RTK高精度定位技术有望实现在汽车领域