OmniVision(豪威)CMOS影像传感器OV芯片全系列-亿配芯城-OmniVision传感器芯片的制造工艺和流程
你的位置:OmniVision(豪威)CMOS影像传感器OV芯片全系列-亿配芯城 > 芯片产品 > OmniVision传感器芯片的制造工艺和流程
OmniVision传感器芯片的制造工艺和流程
发布日期:2024-03-01 07:00     点击次数:199

Omnivision是一家著名的图像传感器制造商,其传感器芯片制造过程涉及晶圆处理、光刻、膜沉积、蚀刻、离子注入等多个关键步骤。

首先,晶圆处理是整个制造过程的基础。晶圆是一种直径约200mm的圆形硅片,是制造半导体设备的基本材料。在晶圆处理阶段,晶圆被切割和清洗,以准备后续步骤。

下一步是光刻步骤。现阶段,掩膜版上的图形通过光刻机中的光投射到晶圆上,形成初步的图形结构。这一过程需要精确的工艺控制,以确保图形的准确性和完整性。

然后是薄膜沉积步骤。在此阶段,材料(如金属、绝缘物等)沉积在晶圆表面,形成芯片所需的电路结构。为了保证芯片的性能和稳定性,需要准确控制沉积物的类型、厚度和分布。

下一步是蚀刻步骤。在这个阶段, 芯片采购平台为了形成所需的电路结构,蚀刻了不必要的薄膜或结构。这一过程需要精确的控制和测量,以确保蚀刻的深度和范围正确。

最后是离子注入步骤。在这个阶段,带电离子被注入到制造的半导体设备中,以进一步形成所需的电路结构。这一过程需要很高的工艺控制精度,以确保离子注入的准确性和可靠性。

OmniVision传感器芯片经过这些复杂的步骤后完成。这些芯片被封装、测试,最终包装成产品并出售给客户。为了保证最终产品的性能和质量,每一步都需要精细的工艺控制和严格的质量控制。

一般来说,Omnivision传感器芯片的制造过程涉及晶圆处理、光刻、膜沉积、蚀刻、离子注入等多个关键步骤。这些过程需要精细的控制和测量,以确保最终产品的性能和质量。