FDS4559是一种互补的MOSFET器件，采用先进的功率沟道工艺生产，该工艺经过特别定制， 亿配芯城 可最大限度地降低通态电阻，同时保持较低的栅极电荷，以获得优异的开关性能。适用于液晶背光逆变器。

参数：

晶体管极性：N and P-Channel

汲极/源极击穿电压：+/- 60 V

闸/源击穿电压：+/- 20 V

漏极连续电流：4.5 A, - 3.5 A

导通电阻：55 mOhms

配置：Dual Dual Drain

最大工作温度：+ 175 C

安装风格：SMD/SMT

封装 / 箱体：SOIC-8 Narrow

封装：Reel

下降时间：6 ns, 12 ns

向跨导 - 最小值：14 S, 9 S

最小工作温度：- 55 C

功率耗散：2 W

上升时间：8 ns, 10 ns

系列：FDS4559

工厂包装数量：2500

典型关闭延迟时间：19 ns, 19 ns

零件号别名：FDS4559_NL

单位重量：187 mg

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