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晶振是什么呢?对于外行人来讲,真的很难理解。接下来广东ic交易网对晶振进行一个简单的解释。电子元件中有一种叫“压电石英晶体”的元件,这种晶体分为两种,“石英晶体谐振器” 和“石英晶体振荡器” 。简而言之, 这两种晶体都简称为“晶振” 。即“晶体” 就是“晶振” , 也就有了“晶振” 这一名词的来源。 “石英晶体谐振器” 和“石英晶体振荡 1、石英晶体的结构 利用石英晶体(Quartz-Crystal)的压电效应制成的一种谐振器件。石英本质是矿物质硅石的一种,化学成分是Sio2,从一块晶体上按一
1 IGBT的结构 如下图所示,一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构,有两个N+区,其中一个N+区称为源区,附于其上的电极称为源极。另一个N+区称为漏区。器件的控制区为栅区,附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区(包括P+和P-区,沟道在该区域形成),称为亚沟道区(Subchannel region)。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区(Drain injector),它是IGBT特有的功能区,与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管,起发射极的作用, 向漏极注入
绕线电阻: 绕线电阻是将镍铬合金导线绕在氧化铝陶瓷基底上,一圈一圈控制电阻大小。绕线电阻可以制作为精密电阻,容差可以到 0.005%,同时温度系数非常低,缺点是绕线电阻的寄生电感比较大,不能用于高频。绕线电阻的体积可以做的很大,然后加外部散热器,可以用作大功率电阻。 绕线电阻的内部结构 碳合成电阻: 主要是由碳粉末和粘合剂一起烧结成圆柱型的电阻体,其中碳粉末的浓度决定了电阻值的大小,在两端加镀锡铜引线,最后封装成型。 碳合成电阻结构 碳膜电阻: 碳膜电阻主要是在陶瓷棒上形成一层碳混合物膜,例如
JBS结构降低泄漏电流(IR)SBD是由半导体与金属的接合形成的。由于半导体和金属之间的势垒不同,它起着二极管的作用。由于半导体-金属界面上的分子结构可能是不连续的,因此可能会出现表面不规则、晶体缺陷或其它异常现象。当强电场作用于含有这些缺陷的半导体-金属界面时,会有所谓的泄漏电流(IR)流动。在具有传统结构的SBD中,耗尽区延伸到半导体侧(如下所示),导致电荷(或电子)产生的电场在半导体-金属界面处最强。相反,在JBS二极管中,耗尽区延伸于部分埋在半导体表面下的p和n-区之间。当反向偏压增大
1 驱动电机的作用驱动电机、电控系统、动力电池是电动汽车的核心部分,称为“三电”。在电动汽车上,驱动电机替代了传统汽车上的发动机和发电机,传统汽车通常是把化学能转换为机械能驱动车辆行驶,而驱动电机既可以将电能转换为机械能驱动汽车行驶,也可以作为发电机将机械能转换为电能,并存储在动力电池内。电机控制器将动力电池的高压直流电变换为驱动电机的高压三相交流电,使驱动电机产生力矩,并通过传动装置将驱动电机的旋转运动传递给车轮,驱动汽车行驶。图1所示为驱动电机动力传输图。 图1 驱动电机动力传输图驱动电机
1、晶闸管(SCR) 晶体闸流管简称晶闸管,也称为可控硅整流元件(SCR),是由三个PN结构成的一种大功率半导体器件。在性能上,晶闸管不仅具有单向导电性,而且还具有比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。 晶闸管的优点很多,例如:以小功率控制大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无噪声;效率高,成本低等。因此,特别是在大功率UPS供电系统中,晶闸管在整流电路、静态旁路开关、无触点输出开关等电路中得到广泛的应用。 晶闸管的弱点:静态
RA8871ML4N是一款高性能的内存控制器芯片,广泛应用于各种嵌入式系统和物联网设备中。它的内存结构和分配策略是其性能和稳定性的关键因素。 首先,RA8871ML4N的内存结构主要由DDR3或DDR4内存芯片组成。这些芯片通过高速接口与控制器相连,提供大量的存储空间以满足系统的需求。内存结构的设计考虑了芯片的布局、通道数量和带宽等因素,以确保最佳的性能和稳定性。 其次,RA8871ML4N的分配策略基于内存池的概念。系统会根据需要动态分配内存池的大小,以适应不同任务的需求。分配策略包括按需分
MLCC,多层片式陶瓷电容器,以其独特的结构和工作原理,在电子行业中占据了重要地位。本文将深入解析MLCC的基本原理与结构,帮助读者理解其工作机制与内部构造。 一、基本原理 MLCC的工作原理基于陶瓷电容器的电容特性。当两块极板间施加电压时,陶瓷基板会产生电荷并存储能量。这种电荷存储能力即为电容效应,表现为一个可变的电容量。MLCC的独特之处在于其使用了多层陶瓷结构,每一层都包含了一层绝缘介质和电极箔。 二、结构解析 1. 基板:MLCC的基板通常由高介电常数的氧化铝制成。这种材料具有高电导性
随着全球能源需求的日益增长,提高能效已成为一个迫切的需求。在这个背景下,新型IGBT(绝缘栅双极晶体管)结构以其独特的优势,成为了行业关注的焦点。IGBT作为一种电力电子设备,广泛应用于电力、电子、通信、汽车等领域,其能效直接影响着整个系统的性能。 新型IGBT结构的关键优势在于其创新的设计和优化。首先,它采用先进的复合材料制成,具有更高的热导率,能够在高温环境下保持稳定的工作状态,从而降低了系统温度,减少了能量的损失。其次,新型IGBT的开关速度更快,这使得它在开关瞬间的损耗大大降低,进一步
陶瓷电容器(Ceramic capacitor) MLCC是一种常见的电子元件,由于其具有稳定可靠、精度高、体积小、重量轻、温度特性好等优点,因此在许多电子设备中得到广泛应用。 陶瓷电容器的结构和原理 陶瓷电容器由两个电极组成,分别为金属电极和陶瓷电极。金属电极通常是铜、铝等导电材料,而陶瓷电极则是由高介电常数的材料制成。当电流通过陶瓷电极时,电容器的电容值就会发生变化。 陶瓷电容器的应用 陶瓷电容器在电子设备中有着广泛的应用,例如: 电源滤波器:陶瓷电容器具有很好的滤波特性,可以有效地抑制电