FDS4559是一种互补的MOSFET器件
2024-10-21FDS4559是一种互补的MOSFET器件，采用先进的功率沟道工艺生产，该工艺经过特别定制，可最大限度地降低通态电阻，同时保持较低的栅极电荷，以获得优异的开关性能。适用于液晶背光逆变器。 参数： 晶体管极性：N and P-Channel 汲极/源极击穿电压：+/- 60 V 闸/源击穿电压：+/- 20 V 漏极连续电流：4.5 A, - 3.5 A 导通电阻：55 mOhms 配置：Dual Dual Drain 最大工作温度：+175C 安装风格：SMD/SMT 封装 / 箱体：SOIC