关于晶体管ON时的逆向电流

在NPN晶体管中，基极 (B) 被偏置为正，集电极 (C) 被偏置为负，由发射极 (E) 流向C的是逆电流。1. 不用担心劣化和损坏，在使用上是没有问题的2. NPN-Tr的B和C对称、和E极同样是N型。也就是说，逆接C、E也同样有晶体管的功效。即电流由E→C流动。3. 逆向晶体管有如下特点。

关于封装功率容许功

定义：是指由于输入晶体管的电压、电流产生的功耗在元件发热时，结温Tj为绝对最大额定值限定的温度(Tj＝150°C)时的功率。这里，PC、Ta、△Tx、Px可以由各自测定时的设定值或测定结果直接得出，但是只有Tj不能直接得出。因此，OmniVision(豪威)CMOS影像传感器OV芯片 如下列出使用VBE的测试方法。VBE测定法 硅晶体管的情况下 基极-发射极间电压：VBE根据温度变化。由此，通过测定VBE，可以推测结温。通过图1的测定电路，对晶体管输入封装功率：PC(max)。(假设1W晶体管的情况下，输入条件为VCB=10V IE=100mA)如图2:

从这个结果得出△VBE=VBE2-VBE1。这里，硅晶体管根据温度具有一定的温度系数。约为ー2.2mV/ºC。（达林顿晶体管为ー4.4mV/ºC）因此，根据由输入功率得出△VBE，可以由以下算式得出上升的结温。

fT：增益带宽积指晶体管能够动作的极限频率。所谓极限，即基极电流对集电极电流的比为1（即hFE=1）的情况。提高基极输入频率，hFE变低。这时，hFE为1时的频率叫做fT（增益带宽积）。fT指在该频率下能够工作的极限值。但是，实际使用时能够动作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。测定条件如下f：根据测定装置而定。为测定的标准频率。VCE：任意设定。我公司为一般值。IC：任意设定。我公司为一般值。

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